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意法半导体发布新抗辐射加固器件,提高航天应用能效
发布日期:2020-05-14    

推出辐射耐受性更强的整流管和业界首个额定 SEB  (单粒子烧毁) 的高压肖特基二极管


中国,2020年5月14 日——为了进一步扩大航天级抗辐射加固功率器件的产品组合,意法半导体推出了新的已通过 ESCC(欧洲航天元器件协调委员会)认证的 200 V 和 400 V 功率整流管,以及 45 V 和 150 V 抗 SEB1 效应的肖特基整流管。


新推出的抗辐射加固肖特基二极管包括SEB耐量高达 61 MeV/cm2/mg LET (线性能量传递)的 45 V 和 150 V 产品,这两款产品是业界首款额定 SEB 的肖特基二极管产品,适用于多种转换器拓扑。150 V 和 45 V产品都可以直连 100 V 和 28 V 卫星电源总线。在 40 A/125 °C 时,150 V 器件的正向电压 (VF) 最大值为 0.78 V;45 V 器件的最大正向电压 (VF) 为 0.61 V。


意法半导体总共推出了5款 ESCC 认证双共阴极肖特基器件,其中,STPS40A45C 是一个 TO-254AA 通孔封装 45V/2x20A 二极管;STPS80A45C 45V/2x40A、STPS60A150C 150V/2x30A和STPS80A150C 150V/2x40A 是 SMD.5 密封表面贴装器件。STPS40A150C 150V/2x20A 是 TO254AA 封装。


新推出的整流二极管是TO-254AA封装的 STTH40200C 200V/2x20A 双二极管,以及 SMD1密封贴装的 STTH60200C 200V/2x30A 双二极管和 STTH60400 400V/60A 单二极管。


意法半导体的新抗辐射整流管和肖特基二极管的表征测试证明,可耐受高达 3 Mradf(硅) 的电离总剂量 (TID) 辐射,保证压降在四个工作电流值下不退化,因此,多个不同的电源设计可以共用一种器件,简化应用设计。


这些产品在意法半导体法国雷恩工厂制造,采用与意法半导体 AEC-Q101 汽车级认证产品相同的平面制造工艺,产品质量出色、有保证。意法半导体雷恩工厂制造的航天器件取得了飞行40余年无失效的成就。


目前新产品大多数型号都有货,询价和申请样品,请联系当地意法半导体销售办事处。


详情访问 www.st.com/rad-hard-diodes-pr



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1 SEB: 单粒子烧毁–重度电离辐射(例如:太空应用中的宇宙射线)导致的电子元器件毁坏。