基于ARM® Cortex®-M7和M4内核的STM32H745/755系列高性能MCU

STM32H725/735系列内含工作频率高达550 MHz的Arm® Cortex®-M7内核(具有双精度浮点单元),基于料号实现耐受环境温度范围可选,最高达125 °C (*)。


性能
 在550 MHz的CPU频率下,从Flash执行程序时,STM32H742系列能够实现2778 CoreMark /1177 DMIPS的性能,借助L1缓存实现了零等待执行
 L1缓存(32 KB的I-缓存 + 32 KB的D-缓存)提高外部存储器的执行性能


安全
STM32H735 MCU包含以下额外的安全特性:
 加密/哈希硬件加速器
 STM32H753支持嵌入式安全固件安装服务(SFI),可在执行初始程序时执行安全验证并保护软件IP
 安全启动和安全固件升级(SBSFU)


高能效
 多电源域架构可将不同电源域配置为不同的功耗模式,进而优化功耗效率
 内置SMPS,用于降低电源电压。还可为外部电路供电,以及在特定应用场合结合LDO使用
 USB调节器提供内置物理接口层(PHY)
 外设关闭的运行模式下,典型功耗为147 µ/MHz (VDD = 3.3 V、温度25 °C)
 低功耗待机模式下的典型功耗为3.5 µA
 不使用RTC、使用4KB备用SRAM的VBAT低功耗模式下,典型功耗为1.45 µA


图形
 LCD-TFT控制器接口支持双层图形
 Chrom-ART Accelerator™提高图形创建速度,节省MCU内核处理带宽以服务于其它应用


片内外设
 多达35个通信接口包括FD-CAN、高速/全速USB 2.0、以太网MAC、摄像头接口
 借助灵活存储控制器使用24位并行接口或双模Octo-SPI串行闪存接口,可轻松扩展存储器容量
 模拟外设:12位DAC,快速16位和12位ADC
 多个16位和32位定时器

STM32H725/735 MCU系列提供512 KB到1 MB的Flash存储器,具有以下结构的564 KB SRAM:
 128 KB的DTCM RAM,用于关键的实时数据
 432 KB的系统RAM(用于关键的实时指令,其中最多256 KB可以映射到ITCM RAM)
 可用于低功耗模式中的4KB备份SRAM

STM32H725/735 MCU系列采用BGA、LQFP、VFQFN68以及WLCSP115封装,引脚数介于100至176根之间。
(*)最高扩展温度范围:125 °C环境温度 /结温140 °C。限于专门器件料号。


数据手册名称
DS13312 STM32H735xG 数据手册
DS13311 STM32H725xE/G 数据手册
板子名称 板子图片 类型
参考手册

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PKA: public Key accelerator

OTFDEC: On-the-fly decryption engine

FMAC: Math accelerator filter unit

Cordic: hardware acceleration of certain mathematical functions

RF: Radio module, including LoRa,(G)FSK,(G)MSK,BPSK